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PCDD08120G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD08120G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD08120G1L2001
Price: 1036 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

241-PCDD08120G1L2001

メーカ番号：

PCDD08120G1_L2_00001

メーカ：

Panjit

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 1200V SiC Schottky Barrier Diode

ライフサイクル:

NRND:

新デザインには推奨しません。

データシート:

PCDD08120G1_L2_00001 データシート (PDF)

ECADモデル:

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Panjit PCDD08120G1_L2_00001の詳細を読む

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Panjit
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252AA-3
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	8 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.5 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	560 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	6 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	SiC Gen.1
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Panjit
Pd - 電力損失:	156.3 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
単位重量:	321.700 mg

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.