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STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 495 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG211Q

メーカ番号：

STDRIVEG211Q

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	3 Output
出力電流:	1 A, 2.4 A
供給電圧 - 最小:	3.3 V
供給電圧 - 最大:	20 V
構成:	Inverting
上昇時間:	22 ns
下降時間:	11 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	STMicroelectronics
開発キット:	EVLSTDRIVEG611
水分感度:	Yes
動作供給電流:	1.02 nA
出力電圧:	220 V
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	60 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	490
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN

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データシート

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。

STDRIVEG211ハーフブリッジ・ゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG211ハーフブリッジ・ゲートドライバは、Nチャネル・エンハンスメント・モードGaN用に設計されており、ハイサイド・ドライバセクションは、最高220Vの電圧レールに耐えることができます。能力、優れた遅延整合が備わった短い伝搬遅延、統合LDOが特徴です。そのため高速GaN駆動向けに最適化されています。STDRIVEG211ハーフブリッジゲートドライバは、ハードスイッチングアプリケーション向けにカスタマイズされた供給UVLO、クロス導通状態を回避するインターロッキング、SmartSD搭載過電流コンパレータが特徴です。コントローラとの簡単な接続が可能になるさまざまな入力ピンがあります。スタンバイピンを使用すると、非アクティブ期間またはバーストモード時の電力消費を低減できます。アプリケーションには、ソーラーマイクロインバータ、Class Dオーディオアンプ、電動バイク、LED照明、USB-C、電力ツール、ロボティクスなどがあります。