STGWA20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA20M65DF2
STGWA20M65DF2

メーカ：

詳細：
IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead
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ライフサイクル:
NRND:
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データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
ブランド: STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値: 40 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 250 uA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: IGBTs
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

650V IHシリーズIGBT

STMicroelectronics 650V IHシリーズは、誘導加熱システムとソフトスイッチング・アプリケーションを対象に高効率のIGBTを実現しています。IGBTは、STPOWER™ファミリに属しています。これは現在、誘導加熱アプリケーションに使用されているHBシリーズを超えています。650V IHシリーズを使用すると、非常に低いターンオフ・エネルギーと組み合わされたさらなる低VCE(sat)のおかげで、最終アプリケーションでの効率性の向上を確保できます。TO-247ロングリードパッケージでは40Aと50Aのデバイスが利用できるようになっています。また、20Aと30Aのデバイスも開発中です。

在庫状況

在庫：
在庫なし
工場リードタイム：
14 週間 工場生産予定時間。
最小: 600   倍数: 600
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥250.8 ¥150,480
¥244.2 ¥293,040
¥235.9 ¥707,700
¥230.9 ¥1,246,860

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