CSD13381F4

Texas Instruments
595-CSD13381F4
CSD13381F4

メーカ：

詳細：
MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T

データシート:
ECADモデル:
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Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
N-Channel
1 Channel
12 V
2.1 A
180 mOhms
- 8 V, 8 V
650 mV
1.06 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 3.8 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 1.5 ns
シリーズ: CSD13381F4
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel FemtoFET MOSFET
標準電源切断遅延時間: 11 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 3.7 ns
単位重量: 0.400 mg
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854239099
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フィリピン
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
中国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

FemtoFET パワーMOSFET

Texas Instruments FemtoFETパワーMOSFETは、超小型のフットプリント（0402ケースサイズ）で（他社製品よりも70%低い）極めて低い抵抗を達成します。これらのMOSFETには、超低Qg、Qgd仕様、最適化ESD定格が採用されています。ランドグリッドアレイ（LGA）パッケージにてご提供しています。このパッケージによりシリコン含有量が最大化されるため、スペースの限られた用途に最適となります。このパワーMOSFETは、低電力損失と低スイッチング損失を提供し、軽負荷性能を向上します。このデバイスの主な用途には、ハンドヘルド、モバイル、負荷スイッチ、汎用スイッチ、バッテリーなどがあります。
詳細

在庫: 64,045

在庫：
64,045 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
9 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥64.8 ¥65
¥39.7 ¥397
¥25.1 ¥2,510
¥18.6 ¥9,300
¥16.4 ¥16,400
完全リール（3000の倍数で注文）
¥13.8 ¥41,400
¥12.5 ¥75,000
¥10.5 ¥94,500
¥10 ¥240,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ 部品番号:
CSD13381F4T
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥239
最低:
1

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