SCS210KE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS210KE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS210KE2HRC11
Price: 1935 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-SCS210KE2HRC11

メーカ番号：

SCS210KE2HRC11

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード AECQ

データシート:

SCS210KE2HRC11 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247N-3
構成:	Dual
If - 順電流（Forward Current）:	10 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.6 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	45 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	100 uA
最高動作温度:	+ 175 C
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Tube
ブランド:	ROHM Semiconductor
Pd - 電力損失:	160 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	450
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
別の部品番号:	SCS210KE2HR

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データシート

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは、シリコン（Si）とカーボン（C）で構成されています。シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiCショットキー・バリア・ダイオードは、破壊電圧600Vを供給します。これは、シリコンSBDSの上限を大きく上回っています。AEC-Q101ダイオードには、SiCが活用されており、PFC回路とインバータに最適です。また、高速スイッチングが有効で、非常に小さな逆リカバリ時間があります。これによって、逆回復電荷の低減、スイッチング損失の削減、最終製品の小型化がもたらされます。AEC-Q101 SiCショットキーバリアダイオードには、650V〜1200Vの逆方向電圧範囲、1.2uA〜260uAの連続順方向電流範囲、48W〜280Wの総電力損失範囲が備わっています。また、最高+175℃までの温度が備わっており、TO-220、TO-247、TO-263パッケージでご用意があります。