SP8M4HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M4HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M4HZGTB
Price: 539 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-SP8M4HZGTB

メーカ番号：

SP8M4HZGTB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET AECQ

データシート:

SP8M4HZGTB データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	SOP-8
トランジスタ極性:	N-Channel, P-Channel
チャンネル数:	2 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	30 V
Id - 連続ドレイン電流:	7 A, 9 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	18 mOhms, 28 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V, 2.5 V
Qg - ゲート電荷:	15 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Dual
下降時間:	22 ns, 70 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	6 S, 7 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15 ns, 50 ns
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel, 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	55 ns, 110 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns, 20 ns
別の部品番号:	SP8M4HZG

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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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データシート

SP8M4HZGTB データシート (PDF)

Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SP8M パワーMOSFET

ROHM Semiconductor SP8MパワーMOSFETは、小さな表面実装パッケージ（SOP8）に収容された低オン抵抗デバイスです。SP8MはPbフリーメッキを特徴としており RoHSに準拠しています。MOSFETはハロゲンフリーで、Sn100%メッキが施されており、AEC-Q101の認定を受けています。