STW65N045M9-4

Name: STMicroelectronics STW65N045M9-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW65N045M9-4
Price: 1785 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-STW65N045M9-4

メーカ番号：

STW65N045M9-4

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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データシート:

STW65N045M9-4 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	54 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	45 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.2 V
Qg - ゲート電荷:	80 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	312 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	4 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
シリーズ:	MDmesh M9
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	85 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	28 ns
単位重量:	6.080 g

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。