TRENCHSTOP™ 5 IGBT

InfineonのTRENCHSTOP™5 IGBTは、現在の主要なソリューションよりもはるかに低い伝導率とスイッチング損失を特徴とした、次世代の薄型ウェハーIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）です。このIGBTは、10kHzを超えるスイッチングの用途のために設計されています。ウェハーの厚さを25%よりも低減することで、650Vの誤点弧電圧を提供しながら、スイッチング損失と伝導損失の両方を大きく向上させます。この優れた効率により、設計者に新たな開発の機会を生み出します。

結果: 37
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
パッケージ/ケース
取り付け様式
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
最大ゲート エミッタ電圧
25 Cでのコレクターの直流
Pd - 電力損失
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
156在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
5在庫
720取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 148 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
101在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
283在庫
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
4,068取寄中
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
データシート
1,200予想2026/10/29
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
データシート
960取寄中
最低： 1
複数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 38 A 125 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 240
複数： 240

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 240
複数： 240

Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1
複数： 1

- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 240
複数： 240

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube