REXFET-1 100V & 150V パワーMOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100V / 150V パワーMOSFETは、スプリットゲート構造を持ち、超低オン抵抗RDSONおよび性能指数が特長で、大電流アプリケーションに最適です。TOLL（TO-リードレス）、TOLG（TO リード付きガルウィング）、TOLT（TO 上面冷却）パッケージでご用意があり、素晴らしい熱伝導性能率と最大電力能力を提供します。さらにMOSFETは、優れたはんだ接合性能を実現するウェッタブルフランクパッケージングが特長です。REXFET-1 MOSFETは、自動車アプリケーション向けPPAPサポートにより、AEC-Q100認定を受けています。

結果: 30
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1,300
複数： 1,300
: 1,300

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
: 5,000

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement Reel
Renesas Electronics MOSFET 100V, 20A, 21mOhms, uSO8-FL N-Channel Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 21 mOhms 20 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel