DrMOS SiC6統合型パワーステージ

Vishay Semiconductors DrMOS SiC6統合型パワーステージは、高電流、高効率、高電圧密度の性能を提供する同期バックアプリケーション用に最適化されています。SiC6xxはVishay独自の5mm x 5mm MLPパッケージに格納されており、1位相あたり最大60Aの連続電流を供給する電圧レギュレータ設計が可能です。内部パワーMOSFETには、Vishayの最先端のGen IV TrenchFET技術が活用されており、スイッチング損失と導通損失を大幅に低減する業界ベンチマークの性能を発揮します。