DMTx MOSFET

Diodes Incorporated DMTx MOSFETは、Nチャンネル拡張モードMOSFETで、低オン抵抗と高速スイッチングが備わっています。また、これらのMOSFETは、車載アプリケーションの厳しい要件を満たすように設計されています。Diodes Incorporated DMTx MOSFETは、高効率電力管理アプリケーションに最適です。

結果: 250
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 10,000
複数: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 10,000
複数: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.4 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K 非在庫リードタイム 32 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 22 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 13.9 nC 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35.8 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 123 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 90 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 39 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 32 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000
Si PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 36 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 205 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 Tube
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 48.7 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 44 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 48.7 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 32 週間
最低: 1
複数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 9.5 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 10,000
複数: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 10.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-F-6 N-Channel 1 Channel 60 V 8.9 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 非在庫リードタイム 32 週間
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V60V 非在庫リードタイム 32 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si PowerDI3333-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 非在庫リードタイム 44 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 5.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel