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NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 3239 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

863-NTHL022N120M3S

メーカ番号：

NTHL022N120M3S

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3

データシート:

NTHL022N120M3S データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	68 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	30 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.4 V
Qg - ゲート電荷:	139 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	352 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
下降時間:	14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	34 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	50 ns
シリーズ:	NTHL022N120M3S
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	44 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	19 ns

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選択した属性: 0

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データシート

NTHL022N120M3S データシート

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M3S EliteSiC MOSFET

onsemi M3S EliteSiC MOSFETは、ハードスイッチトポロジを採用する高周波スイッチングアプリケーションに最適なソリューションです。onsemi M3S MOSFETは、性能と効率を最適化するように設計されています。このデバイスは前世代の同等品（1200V 20mΩ M1）と比較して、全スイッチング損失 (Etot) が約40%も削減されています。M3S EliteSiC MOSFETは、ソーラー電源システム、オンボードチャージャ、電気自動車 (EV) 用充電ステーションなど、さまざまなアプリケーションに最適です。

エネルギーストレージソリューション

Onsemi のエネルギー貯蔵システム（ESS）は、石炭、原子力、風力、太陽光などのさまざまな電力源から電気を蓄え、バッテリ（電気化学的）、圧縮空気（機械的）、溶融塩（熱エネルギー）など、異なる形態で保存します。このソリューションは、ソーラー・インバータ・システムに接続されたバッテリー蓄電システムに焦点を当てています。

NTHL022N120M3S EliteSiCシリコンカーバイドMOSFET

onsemi NTHL022N120M3S EliteSiCシリコンカーバイドMOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化された 1200V、M3S、プレーナ型デバイスです。プレーナテクノロジーは、負ゲート電圧ドライブによって確実に作動し、ゲートのスパイクをオフにします。NTHL022N120M3Sは、18Vゲートドライブで最適な性能を発揮します（15Vゲートドライブでも動作します）。TO-247-3Lパッケージで提供されるNTHL022N120M3Sは、産業用、UPS/ESS、太陽光発電、EVチャージャアプリケーションに最適です。