iS20M028S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1P
iS20M028S1P

メーカ：

詳細：
MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

ライフサイクル:
新製品:
このメーカーの新製品
データシート:
ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について
詳細を表示
iDEAL Semiconductor iS20M028S1Pの詳細を読む

製品属性 属性値 属性の選択
iDEAL Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
40 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
26.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SuperQ
Tube
ブランド: iDEAL Semiconductor
構成: Single
下降時間: 11.3 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 16 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 1.9 ns
シリーズ: 200V
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 24.7 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8.5 ns
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

データシート

Product Catalogs

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class RDS(on), QSW, and EOSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

在庫: 1,829

在庫：
1,829 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
12 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥739.1 ¥739
¥368.7 ¥3,687
¥342.2 ¥34,220
¥280.7 ¥140,350
¥274.1 ¥685,250

予期しないエラーが発生しました。


質問がありますか？ Help Centre(ヘルプ・センター) にアクセスしてください。
特定の注文に関する質問がある場合は、 your account(あなたのアカウント) にログインしてください。

さらに問題が発生した場合は、800-346-6873にお問い合わせいただくか、 help@mouser.com に電子メールを送ってください。