QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 394620 JPY
Availability: OutOfStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

772-QPD1029L

メーカ番号：

QPD1029L

メーカ：

Qorvo

詳細：

GaN FET 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

データシート:

QPD1029L データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Qorvo
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
最高動作周波数:	1.4 GHz
最小動作周波数:	1.2 GHz
技術:	GaN
ブランド:	Qorvo
水分感度:	Yes
出力電力:	1.5 kW
パッケージ化:	Waffle
製品タイプ:	GaN FETs
シリーズ:	QPD1029L
工場パックの数量:	18
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	HEMT

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データシート

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

QPD1029L GaN RF IMFETトランジスタ

Qorvo QPD1029L GaN RF内部マッチングFETトランジスタ（IMFET）は、1500W（P_3dB）ディスクリートGaN on SiC高電子移動度トランジスタ（HEMT）です。このRF IMFETは、1.2GHz～1.4GHzの周波数範囲で動作します。QPD1029Lトランジスタは、外部ボードのマッチングを容易にし、ボードスペースを節約します。このQorvoトランジスタは、RoHSに準拠したデバイスです。QPD1029L IMFETトランジスタは、業界スタンダードのエアキャビティパッケージで使用されており、レーダーに最適です。