CoolMOS™スーパージャンクションMOSFET

Infineon CoolMOS™ パワートランジスタは、高速スイッチングSJ MOSFETの全メリットを実現しています。CoolMOS 7の導入により、Infineonは、価格、性能、品質の基準を引き続き設定しています。

結果: 182
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,228予想2027/04/01
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
14,898取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
16,975取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
2,999取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
2,820取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,680取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
2,992予想2026/08/27
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
241在庫
500予想2026/08/19
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
1,490取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
2,499取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,900取寄中
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
495予想2027/01/28
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,000取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,000予想2027/06/17
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
500予想2027/06/17
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
1,500予想2026/08/20
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
500予想2026/08/19
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 12 週間
最低： 1
複数： 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
データシート
リードタイム 19 週間
最低： 1
複数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 549 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15.3 nC - 40 C + 150 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape