LTC4381低静止電流Eヒューズ

Analog Devices Inc. LTC4381低静止電流 Eヒューズは、内部9mΩ のNチャネル MOSFET を備えた統合ソリューションです。過電圧保護は、内部9mΩ NチャンネルMOSFETゲート電圧をクランプすることによって提供され、自動車の負荷ダンプなどの過電圧イベント時に出力電圧を安全な値に制限できます。MOSFETの安全動作領域は、生産試験が完了しており、高電圧過渡時の応力が保証されています。固定出力クランプ電圧は、12Vおよび24V/28Vシステムで選択できます。最大80Vの任意の電圧のシステムの場合、調整可能クランプバージョンを使用します。