650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタ

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、高度技術が特徴で、効率的なエネルギーアプリケーションの需要を満たしています。Infineon Technologies 650Vトランジスタは、正確な制御と高性能を目的とした最先端のマイクロパターントレンチ設計が特徴です。この設計により、ストリング・インバーター、エネルギー貯蔵システム(ESS)、EV充電、産業用UPS、溶接などといった、さまざまな産業において、大幅な損失の削減、効率性の改善、電力密度の向上がもたらされます。

結果: 28
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
240予想2026/11/05
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
240予想2026/10/29
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
240予想2027/01/07
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube