GaN HEMT

Cree GaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、SiおよびGaAsトランジスタに比べて、より高い出力密度と幅広い帯域幅を提供しています。GaNには、シリコンやガリウム砒素に比べて、高耐圧、高飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率をはじめとする優れた特性があります。
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結果: 33
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 メーカ
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数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
最低動作温度
最高動作温度
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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17在庫
最低： 1
複数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
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Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C