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RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 257 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RF4G100BGTCR

メーカ番号：

RF4G100BGTCR

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

データシート:

RF4G100BGTCR データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-2020-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	14.2 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	10.6 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	4.5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	5.2 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	6.5 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	21 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.5 ns
別の部品番号:	RF4G100BG

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選択した属性: 0

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データシート

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Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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