結果: 47
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
343在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
625在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
717在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,939在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
400在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
348在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
500在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
517在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
254在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
425在庫
1,000予想2026/09/14
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
420在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
データシート
712在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
88在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
73在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
15在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
4,000予想2027/02/04
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
1,680取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
495予想2027/01/28
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 500
複数： 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
リードタイム 19 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube