CoolMOS™ C7 Power MOSFETs

Infineon's CoolMOS™ C7 Power MOSFETs are a revolutionary step forward in technology, providing low RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range. The C7 is optimized for hard switching topologies such as Power Factor Correction (CCM PFC), Two Transistor Forward (TTF) and Solar Boost in applications such as Solar, Server, Telecom and UPS. The 650V breakdown voltage makes it suitable for Solar and Switched Mode Power Supplies (SMPS) PFC stages where extra safety margin are required. They offer the world's lowest RDS(on) of 19mΩ in a TO-247 and 45mΩ in TO-220 and D2PAK packages. The fast switching performance of C7 now enables customers to operate at switching frequencies greater than 100kHz while achieving titanium levels of efficiency in Server PFC stages.

結果: 73
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,076在庫
カットテープ
¥591.3
¥385.4
¥270.7
¥225.9
¥215.9
リール
¥196
最低: 1
複数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 293在庫
¥1,186
¥617.9
¥568.1
¥518.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 7在庫
240予想2026/11/19
¥822.2
¥496.6
¥377
¥317.3
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 59在庫
500予想2027/02/16
¥1,184.3
¥792.3
¥649.5
¥549.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 158在庫
¥1,619.5
¥1,106.2
¥911.9
¥812.2
¥769
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 57在庫
¥1,596.2
¥858.7
¥792.3
¥769
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 25在庫
¥1,330.5
¥704.3
¥647.8
¥564.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 5在庫
カットテープ
¥1,524.8
¥842.1
¥774
¥764.1
¥682.7
リール
¥682.7
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4 71在庫
¥3,986.4
¥3,190.8
¥2,758.9
¥2,612.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
380取寄中
¥2,320.4
¥1,767.3
¥1,473.3
¥1,242.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
240予想2027/10/21
¥2,302.1
¥1,285.6
¥1,225.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
286予想2027/03/25
¥606.3
¥294
¥257.5
¥206
¥201
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm 非在庫リードタイム 22 週間
¥229.2
¥212.6
¥201
最低: 500
複数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥370.4
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 125 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 40 C + 150 C 103 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥724.2
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥734.2
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥496.6
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥503.3
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 99 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥388.7
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
リール
¥249.2
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 18 週間
¥684.3
最低: 500
複数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 52 週間
¥2,255.6
¥1,255.7
¥1,192.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 52 週間
¥1,036.5
¥923.5
最低: 240
複数: 240
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube