CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源（SMPS）、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。

結果: 14
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
技術
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
3,942在庫
2,000予想2026/12/14
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
データシート
2,970在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
1,539在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,587在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,711在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,285在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,133在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
979在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,537在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
2,657在庫
最低： 1
複数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
7,266在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
1,528在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
1,519在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
データシート
75在庫
2,000予想2026/09/28
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN GaN