TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載)

Vishay/Siliconix TrenchFET® Gen VパワーMOSFETは、非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。Gen VパワーMOSFETには、80V、100V、150Vドレイン・ソース破壊電圧オプションがあります。Gen VパワーMOSFETは、PowerPAK® 1212-8SHまたはPowerPAK SO-8シングルパッケージでご用意があります。

結果: 30
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET PPAKSO8 N-CH 30V 85.9A
20,800予想2028/01/03
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PPAK1212 N-CH 80V 16.9A
6,000予想2028/01/10
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 58.1 A 7.2 mOhms 20 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 4.7 m 10V 6.8 m 4.5V
14,975予想2027/07/05
最低: 1
複数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 350.8 A 470 uOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 120 nC - 55 C + 150 C 104.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 24.7A
11,975取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 6,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 67.4 A 3.25 mOhms - 12 V, 16 V 2.2 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 26.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
3,000予想2027/08/05
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8SW N-Channel 1 Channel 100 V 58 A 0.0074 Ohms 20 V 3.5 V 23.6 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel