CoolMOS™ P7 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETは、使い勝手の良さに優れたベストインクラスの価格/性能比を実現しており、さまざまなアプリケーションの課題に対処できます。700Vおよび800V CoolMOS P7パワーMOSFETは、アダプタや充電器、照明、オーディオ用スイッチング電源、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション用に開発されました。600V CoolMOS P7パワーMOSFETは、低消費電力だけでなくソーラーインバータ、サーバ、テレコム、EV充電スタンドといったハイパワーSMPSアプリケーションをターゲットにしています。P7 MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチング・トポロジ向けに完全に最適化されています。

結果: 115
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
2,999取寄中
¥435.2
¥204.3
¥184.4
¥155.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
2,818取寄中
¥1,395.2
¥730.8
¥686
¥641.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
880取寄中
¥463.4
¥229.2
¥206
¥164.6
¥150
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
2,500予想2027/04/22
¥338.8
¥162.3
¥144.7
¥114.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
998取寄中
¥593
¥304
¥269.1
¥220.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1,000予想2026/12/10
¥405.3
¥206
¥177.7
¥142.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
500予想2027/08/05
¥333.9
¥159.8
¥142.8
¥112.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER リードタイム 12 週間
カットテープ
¥300.6
¥143
¥127.7
¥100.7
リール
¥82.4
最低: 1
複数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 8 週間
¥262.4
¥115.4
¥103
¥85.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 26 週間
¥564.7
¥282.4
¥255.8
¥206
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 26 週間
¥506.6
¥327.2
¥224.2
¥179.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 15 週間
¥581.4
¥292.3
¥264.1
¥212.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 19 週間
¥139.4
¥133.9
¥131.7
最低: 1,500
複数: 1,500
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 53 週間
¥1,367
¥719.2
¥661.1
¥573
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 18 週間
¥712.6
¥362.1
¥328.9
¥274.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube