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IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 4398 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-DQ60R010S7AXTMA1

メーカ番号：

IPDQ60R010S7AXTMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

データシート:

IPDQ60R010S7AXTMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	50 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	10 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	318 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	694 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	750
サブカテゴリ:	Transistors
別の部品番号:	IPDQ60R010S7A SP002063384

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データシート

IPDQ60R010S7AXTMA1 データシート (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

600V CoolMOS™ SJ S7A パワーデバイス

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7A パワーデバイスは、スタティックスイッチとして設計された高電圧パワーMOSFETです。このデバイスは、Infineon Technologiesのスーパージャンクション（SJ）原理に従って設計されています。 SJ MOSFETのリーディングサプライヤーとしての経験と、ハイクラスのイノベーションが融合され、QDPAKパッケージでの低_RDS(on) が実現されています。 S7Aシリーズは、低周波スイッチングやサーキットブレーカのような大電流アプリケーションに最適化されています。