R6004PND3FRATL

ROHM Semiconductor
755-R6004PND3FRATL
R6004PND3FRATL

メーカ:

詳細:
MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
600 V
4 A
1.8 Ohms
25 V
4.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 39 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 28 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 44 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 23 ns
別の部品番号: R6004PND3FRA
単位重量: 330 mg
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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not
intended for volume automotive production without ROHM
Semiconductors prior approval.

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales
Representative for further assistance.

5-0617-50

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
タイ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

R6004PND3FRA 600V Nチャンネル車載MOSFET

ROHM Semiconductor R6004PND3FRA 600V Nch 車載用MOSFETは、低オン抵抗を実現したMOSFETです。高速スイッチング速度を備えています。ROHM SemiconductorのこのMOSFETは、シンプルな構造のドライブ回路を集積しており、AEC-Q101認定済みです。R6004PND3FRA MOSFETは、ドレイン・ソース間抵抗 (RDS(on)) 1.8Ω、直流ドレイン電流 (ID) ±4A、電力損失 (PD) 65Wが特長です。このMOSFETは、スイッチング電源に最適です。

在庫: 1,845

在庫:
1,845 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
23 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥682.7 ¥683
¥353.8 ¥3,538
¥315.6 ¥31,560
¥267.4 ¥133,700
¥264.1 ¥264,100
完全リール(2500の倍数で注文)
¥252.5 ¥631,250
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩