HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
データシート
非在庫リードタイム 40 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 60 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET 在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V
データシート
非在庫リードタイム 19 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 36A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 20A
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 24A
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 34 A 154 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 310 W Enhancement HiPerFET Tube