HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 600V 26A
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 30A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 30A
データシート
在庫なし
最低： 90
複数： 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 850V 30A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 36A
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 35 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 93 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 65 nC 690 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-268HV
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiPerFET Power MOSFET 在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFT80N65X2HV TRL
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
最低： 400
複数： 400
: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC 890 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET 在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A
データシート
リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120V 300V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140A 250V
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 160A 300V
データシート
299予想2026/10/19
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170A 200V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A HiPerFET Tube