HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel Trench Gate TrenchT2 MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 440 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 350
複数： 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 55 V 55 A 1.6 mOhms 20 V 2 V 595 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 20
Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 500 V 63 A 43 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 250 V 130 A 13 mOhms 20 V 3 V 364 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 200 V 156 A 8.3 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 150 V 235 A 4.4 mOhms 20 V 5 V 715 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 19 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1.1 kV 24 A 290 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 100 V 334 A 2.6 mOhms 20 V 2.5 V 670 nC - 55 C + 175 C 680 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 kV 30 A 245 mOhms 30 V 264 nC - 55 C + 150 C HiPerFET Tube
IXYS MOSFET SMPD MOSFET Power Device
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.3 mOhms 20 V 3.8 V 595 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V 600A
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 20

Si SMD/SMT SMPD-24 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.3 mOhms 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650v/32A Power MOSFET
データシート
在庫なし

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 135 mOhms 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube