Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 457
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,116
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥2,627.7
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,548
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥5,072.7
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,170.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,586.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,160.9
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,780.4
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,473.2
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,612.8
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,752.4
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 to +85C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,798.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,543.1
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,573
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,614.5
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 - +105C 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,973.3
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) -40 - +105C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,979.9
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,918.5
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,069.5
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,888.4
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,838.6
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,949.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,383.5
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,694.1
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥6,117.5
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray