SMD/SMT SRAM

結果: 11,331
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース 認証 パッケージ化

ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 55ns Async SRAM 192在庫
最低: 1
複数: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM
234取寄中
最低: 1
複数: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
250予想2026/09/21
最低: 1
複数: 1

256 kbit 32 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 12ns, Industrial Temp - Tube
161予想2026/08/27
最低: 1
複数: 1

256 kbit 32 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube
363予想2026/09/21
最低: 1
複数: 1

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube
240予想2026/09/21
最低: 1
複数: 1

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRA
260取寄中
最低: 1
複数: 1

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
160予想2026/08/21
最低: 1
複数: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 5V, 44pin TSOP II, 15ns, Industrial Temp - Tray
135予想2026/10/06
最低: 1
複数: 1

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 120 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1
72 Mbit 2 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 非在庫リードタイム 5 週間
最低: 1
複数: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
956取寄中
最低: 1
複数: 1

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
270予想2026/12/15
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
213予想2026/10/16
最低: 1
複数: 1

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 139工場在庫あり
最低: 1
複数: 1
いいえ
9 Mbit 512 k x 18 12 ns Parallel 2.6 V 2.4 V 395 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-208 Tray
GSI Technology SRAM 非在庫リードタイム 5 週間
最低: 10
複数: 10
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 10
複数: 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 10
複数: 10

144 Mbit 8 M x 18 714 MHz Parallel 1.35 V 1.2 V 1.3 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 非在庫リードタイム 5 週間
最低: 1
複数: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 10
複数: 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 10
複数: 10

288 Mbit 16 M x 18 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 15
複数: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 非在庫リードタイム 3 週間
最低: 10
複数: 10

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 非在庫リードタイム 5 週間
最低: 1
複数: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 非在庫リードタイム 5 週間
最低: 1
複数: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray