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IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
09/22/2026
要件の厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションにおいて、高速で高信頼性の過電圧保護を提供。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS SK002xSx高感度SCR
IXYS SK002xSx高感度SCR
08/27/2026
マイクロプロセッサドライブに対応し、高いノイズ耐性を備えた高感度SCR。
IXYS DK610S3RP 1600V汎用整流器ダイオード
IXYS DK610S3RP 1600V汎用整流器ダイオード
07/20/2026
省スペース設計で、自動実装に適しており、DC位相制御アプリケーションに最適です。
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
07/20/2026
安定性を向上させるガラスパッシベーション接合を採用し、DO-214ABパッケージに実装されています。
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
01/20/2026
600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
04/14/2025
ガラス不動態化接合部が特徴で、安定した動作と高い信頼性が保証されます。
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
04/03/2025
高周波動作および高サージ電流対応を特長としています。
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
03/25/2025
平面不動態化チップと統合された140Aダイオードモジュールで、長期安定性が備わっています。
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
TO263-7Lパッケージの1,200V、30mΩ、79A産業グレードデバイスを備えたシングルスイッチMOSFETです。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。
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    Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
    10/14/2026
    28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
    Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
    Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
    10/06/2026
    1.2GHz〜1.4GHzで動作する220WディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
    Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
    Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
    10/06/2026
    2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
    Littelfuse AK6-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    Littelfuse AK6-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    10/05/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVSダイオード
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVSダイオード
    10/05/2026
    MOVやGDTなどの 代替技術よりも低い制限電圧を提供します。
    Littelfuse AK8-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    Littelfuse AK8-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    10/05/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
    Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
    10/02/2026
    電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
    Littelfuse SP4315-01WTG TVSダイオードアレイ
    Littelfuse SP4315-01WTG TVSダイオードアレイ
    10/01/2026
    超低静電容量、双方向設計、および破壊的なESDから電子機器を守る保護機能を備えています。
    Littelfuse DSxARP 車載用シリコンショットキーバリアダイオード
    Littelfuse DSxARP 車載用シリコンショットキーバリアダイオード
    09/22/2026
    低い順方向電圧降下、および安定した電気的性能。
    IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
    IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
    09/22/2026
    要件の厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションにおいて、高速で高信頼性の過電圧保護を提供。
    onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
    onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
    09/17/2026
    低オン抵抗とソフトリカバリボディダイオードを備えた80Vの車載MOSFET。
    Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
    Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
    09/16/2026
    本デバイスは、自動車、電力分配、および産業用電力制御アプリケーションに最適です。
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
    09/15/2026
    電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    09/14/2026
    Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
    onsemi ESDM1021 ESD保護ダイオード
    onsemi ESDM1021 ESD保護ダイオード
    09/14/2026
    GPIOと低電圧電源ライン保護用の小型2V双方向ESDダイオードです。
    Littelfuse AK1-A アキシャルリード型 TVSダイオード
    Littelfuse AK1-A アキシャルリード型 TVSダイオード
    09/10/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    09/10/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Littelfuse TP7.0SMD-XC自動車用TVSダイオード
    Littelfuse TP7.0SMD-XC自動車用TVSダイオード
    09/10/2026
    落雷による過渡電圧から電子機器を保護します。
    Littelfuse AK3-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    Littelfuse AK3-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
    09/10/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Littelfuse AK3-A アキシャルリード型 TVS ダイオード
    Littelfuse AK3-A アキシャルリード型 TVS ダイオード
    09/10/2026
    AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
    Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
    Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
    09/09/2026
    エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
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