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SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET パワーモジュール
SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET パワーモジュール
08/11/2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFETディスクリートデバイス
SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFETディスクリートデバイス
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1,700V SiCショットキーダイオード
SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1,700V SiCショットキーダイオード
08/26/2024
TO-247-2Lパッケージで供給。幅広いアプリケーションでサイズと電源の需要を満たすための設計を採用。
SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFET フルブリッジモジュール
SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFET フルブリッジモジュール
03/21/2024
太陽光発電インバータ、エネルギーストレージシステム、高電圧DC-DCコンバータに最適です。
SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジ モジュール
SemiQ GCMX 1,200V SiC MOSFETハーフブリッジ モジュール
03/21/2024
低スイッチング損失、低接合部対ケース熱抵抗、非常に頑丈で簡単な取付が特徴です。
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11/15/2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
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Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
1.2GHz〜1.4GHzで動作する220WディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Littelfuse LTKAK1.5-L TVSダイオード
Littelfuse LTKAK1.5-L TVSダイオード
10/05/2026
MOVやGDTなどの 代替技術よりも低い制限電圧を提供します。
Littelfuse AK6-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
Littelfuse AK6-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
10/05/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Littelfuse AK8-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
Littelfuse AK8-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
10/05/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
Littelfuse SP4315-01WTG TVSダイオードアレイ
Littelfuse SP4315-01WTG TVSダイオードアレイ
10/01/2026
超低静電容量、双方向設計、および破壊的なESDから電子機器を守る保護機能を備えています。
IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
IXYS IXBOD2 ブレークオーバーダイオードモジュール
09/22/2026
要件の厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションにおいて、高速で高信頼性の過電圧保護を提供。
Littelfuse DSxARP 車載用シリコンショットキーバリアダイオード
Littelfuse DSxARP 車載用シリコンショットキーバリアダイオード
09/22/2026
低い順方向電圧降下、および安定した電気的性能。
onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
onsemi NVMTS1D1N08XNチャネルパワーMOSFET
09/17/2026
低オン抵抗とソフトリカバリボディダイオードを備えた80Vの車載MOSFET。
Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
Vishay SQD50P04-09L40V自動車用PチャネルパワーMOSFET
09/16/2026
本デバイスは、自動車、電力分配、および産業用電力制御アプリケーションに最適です。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
09/15/2026
電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
onsemi ESDM1021 ESD保護ダイオード
onsemi ESDM1021 ESD保護ダイオード
09/14/2026
GPIOと低電圧電源ライン保護用の小型2V双方向ESDダイオードです。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse AK1-A アキシャルリード型 TVSダイオード
Littelfuse AK1-A アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Littelfuse TP7.0SMD-XC自動車用TVSダイオード
Littelfuse TP7.0SMD-XC自動車用TVSダイオード
09/10/2026
落雷による過渡電圧から電子機器を保護します。
Littelfuse AK3-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
Littelfuse AK3-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Littelfuse AK3-A アキシャルリード型 TVS ダイオード
Littelfuse AK3-A アキシャルリード型 TVS ダイオード
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
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