TRENCHSTOP™5 H5(High Speed 5)IGBT

Infineon TRENCHSTOP™5 H5(High Speed5) IGBTは、高速で、30kHzより速いスイッチングが必要なアプリケーション用に究極の効率性をもって設計されています。High Speed 5 IGBTは、RAPID1高速およびソフトアンチパラレルダイオードが用いられたTRENCHSTOP™ 5技術が特徴です。H5 IGBTは、ハードスイッチングと共振トポロジでクラス最高の効率性を提供し、旧世代のIGBT用のプラグアンドプレイ交換ができます。一般的なアプリケーションには、UPS、溶接コンバータ、ソーラー・ストリング・インバータ、中~高範囲スイッチング周波数コンバータがあります。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 1,240在庫
カットテープ
¥797.3
¥544.8
¥397
¥338.8
リール
¥307.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 478在庫
¥1,171
¥671
¥559.8
¥516.6
最低: 1
複数: 1
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 263在庫
¥1,448.4
¥843.8
¥704.3
¥684.3
最低: 1
複数: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 382在庫
カットテープ
¥965
¥644.5
¥481.7
¥421.9
リール
¥397
最低: 1
複数: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 514在庫
¥1,347.1
¥948.4
¥765.7
¥681
¥604.6
最低: 1
複数: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 396在庫
カットテープ
¥817.2
¥538.2
¥392
¥333.9
リール
¥302.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT モジュール 650 V, 40 A 3-level IGBT module 8在庫
¥13,298
¥10,671.9
¥10,137.1
最低: 1
複数: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥813.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥375.4
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥378.7
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥453.5
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode 非在庫リードタイム 52 週間
¥1,710.8
¥1,209.2
¥1,008.2
¥898.6
¥840.5
最低: 1
複数: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 非在庫リードタイム 52 週間
¥739.1
¥656.1
最低: 240
複数: 240
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 非在庫リードタイム 52 週間
¥1,094.6
¥975
最低: 240
複数: 240
IGBTs Si Through Hole TO-247-4