.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics SiC MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

結果: 59

適用されたフィルタ:

ブランド = STMicroelectronics

取り付け様式

パッケージ/ケース

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

認証

すべてリセット

検索結果内を検索する

在庫

通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

部品番号

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥12,754.8
33在庫
新製品

メーカ部品番号
SCTHC250N120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCTHC250N120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

データシート

33在庫

¥12,754.8

¥10,110.5

¥8,627.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

STPAK-4

1 Channel

1.2 kV

239 A

8.5 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL35N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥3,023
2,309在庫

メーカ部品番号
SCTL35N65G2V

Mouser 部品番号
511-SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm hb igbt について

データシート

2,309在庫

カットテープ

¥3,023

¥2,146

¥1,867

¥1,584.6

リール

¥1,524.8

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

67 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,674.1
7在庫
600予想2027/02/19
新製品

メーカ部品番号
SCT019HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT019HU120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

7在庫

600予想2027/02/19

カットテープ

¥3,674.1

¥2,679.2

¥2,239

リール

¥2,127.7

最低： 1
複数： 1

: 600

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,687.4
630在庫

メーカ部品番号
SCT012W90G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

630在庫

¥3,687.4

¥2,278.9

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥4,438.2
540在庫

メーカ部品番号
SCT015W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

540在庫

¥4,438.2

¥3,552.9

¥3,072.9

¥2,908.4

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,104.4
448在庫

メーカ部品番号
SCT018W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

データシート

448在庫

¥3,104.4

¥2,016.5

¥1,876.9

¥1,662.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,360.2
301在庫
600取寄中

メーカ部品番号
SCT020W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

301在庫

600取寄中

¥3,360.2

¥2,101.2

¥1,998.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

Hip247-4

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,147.6
247在庫
600予想2027/03/19

メーカ部品番号
SCT025W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

247在庫

600予想2027/03/19

¥3,147.6

¥1,958.3

¥1,837.1

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,260.6
596在庫

メーカ部品番号
SCT027H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

596在庫

カットテープ

¥2,260.6

¥1,578

¥1,438.4

¥1,307.2

リール

¥1,195.9

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,750.6
246在庫

メーカ部品番号
SCT027W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT027W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

246在庫

¥2,750.6

¥2,099.5

¥1,458.4

¥1,240.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

60 A

29 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

51 nC

- 55 C

+ 200 C

313 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: ¥1,931.7
487在庫

メーカ部品番号
SCT040W65G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

487在庫

¥1,931.7

¥1,058.1

¥986.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,229.1
481在庫

メーカ部品番号
SCT040W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

481在庫

¥2,229.1

¥1,614.5

¥1,382

¥1,190.9

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥1,519.8
1,404在庫

メーカ部品番号
SCT055TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

1,404在庫

カットテープ

¥1,519.8

¥1,038.1

¥857.1

¥779

¥712.6

リール

¥712.6

最低： 1
複数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,752.3
22在庫
1,000予想2027/01/29

メーカ部品番号
SCT018H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

22在庫

1,000予想2027/01/29

カットテープ

¥2,752.3

¥1,941.7

¥1,654.4

リール

¥1,544.7

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,504.7
13在庫
1,200取寄中

メーカ部品番号
SCT025W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

13在庫

1,200取寄中

¥3,504.7

¥2,418.4

¥2,207.5

¥2,029.7

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,337
109在庫
600予想2026/09/07

メーカ部品番号
SCT040W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

109在庫

600予想2026/09/07

¥2,337

¥1,727.4

¥1,415.2

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,307.1
33在庫
600予想2027/05/21

メーカ部品番号
SCT040W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

33在庫

600予想2027/05/21

¥2,307.1

¥1,621.1

¥1,237.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-3

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,506.4
35在庫
1,200予想2027/01/29

メーカ部品番号
SCT070W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

35在庫

1,200予想2027/01/29

¥2,506.4

¥1,880.3

¥1,187.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,011.5
727在庫

メーカ部品番号
SCT040H65G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

727在庫

カットテープ

¥2,011.5

¥1,131.1

¥1,101.2

リール

¥1,041.4

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: ¥2,842
334在庫

メーカ部品番号
SCT20N120AG

Mouser 部品番号
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

334在庫

¥2,842

¥2,014.8

¥1,499.9

¥1,345.4

見積り

最低： 1
複数： 1

Through Hole

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

SCTL90N65G2V
STMicroelectronics
1: ¥5,182.3
1,301在庫

メーカ部品番号
SCTL90N65G2V

Mouser 部品番号
511-SCTL90N65G2V

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

1,301在庫

カットテープ

¥5,182.3

¥3,705.7

¥3,704

¥3,509.7

リール

¥3,509.7

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

1 Channel

650 V

40 A

18 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥3,780.4
5在庫
1,200取寄中
新製品

メーカ部品番号
SCT020HU120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT020HU120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

5在庫

1,200取寄中

カットテープ

¥3,780.4

¥2,823.7

¥2,383.5

リール

¥2,159.3

MouseReel が利用可能

最低： 1
複数： 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: ¥1,710.8
14在庫
1,800予想2027/01/29

メーカ部品番号
SCT040TO65G3

Mouser 部品番号
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

STMicroelectronics stm 650 sic mosfets について

データシート

14在庫

1,800予想2027/01/29

カットテープ

¥1,710.8

¥1,176

¥941.8

¥896.9

¥830.5

リール

¥830.5

最低： 1
複数： 1

: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥2,496.5
5在庫
600予想2027/04/16

メーカ部品番号
SCT055W65G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

5在庫

600予想2027/04/16

¥2,496.5

¥1,901.8

¥1,702.5

¥1,380.3

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,172.6
14在庫

メーカ部品番号
SCT070H120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

14在庫

カットテープ

¥2,172.6

¥1,513.2

¥1,217.5

リール

¥1,136.1

最低： 1
複数： 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

8.5 mOhms
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
22 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms
67 mOhms
72 mOhms
87 mOhms
100 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
73 nC
76 nC
77 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W
398 W