STMicroelectronics SiC MOSFET

結果: 59
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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
データシート
5在庫
600予想2027/02/12
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A
データシート
988予想2027/03/05
最低： 1
複数： 1
: 1,000

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
データシート
1,200予想2027/03/26
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
データシート
1,985取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
1,997予想2027/02/26
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
データシート
998予想2027/01/29
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
データシート
400予想2027/03/26
最低： 1
複数： 1
: 600

AEC-Q100


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
データシート
996予想2026/09/04
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
データシート
1,200予想2027/03/12
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
データシート
592予想2027/02/05
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
データシート
1,800予想2027/02/12
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
データシート
599予想2026/09/28
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
データシート
599予想2027/02/05
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
データシート
1,945予想2027/05/07
最低： 1
複数： 1

Through Hole 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
データシート
100取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 600
複数： 600
: 600

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1,800
複数： 1,800
: 1,800

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1
複数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 600
複数： 600

Through Hole HiP247-3 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1
複数： 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 1
複数： 1
: 1,000

AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 600
複数： 600

Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 1
複数： 1
: 1,800

STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 600
複数： 600

Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement