Microchip Technology 1200V SIC MOSFET

Microchip Technology 1200V SIC MOSFET は、より高効率で軽量、コンパクトなソリューションです。内部ゲート抵抗 (ESR) が低く、高速なスイッチングが可能です。MOSFETは駆動がシンプルで、簡単に並列接続できるようにも設計されています。熱特性の向上およびスイッチング損失が低減されています。

Microchip 1200V SIC MOSFET は、外付けのフリーホイールダイオードを接続する必要がなく、高速で高信頼性の内蔵ボディダイオードによって優れたアバランシェ耐性を実現します。

TO-247ノッチあり4ピンパッケージによって、熱特性が向上し寄生効果が減少するため、高電力効率の設計が可能です。4ピン・レイアウトにはケルビン接続が含まれており、ゲートリングとスイッチング損失を低減します。同時に、ノッチあり設計では、沿面距離を向上させ、高電圧の信頼性を高めます。

QDPAKパッケージは、高電力アプリケーションにおけるシリコンカーバイドデバイスの性能上の利点を最大限に引き出すように設計された、コンパクトな表面実装型、上面冷却式のソリューションです。デバイスから外部の放熱器への直接的な熱経路を実現し、放熱をプリント基板から切り離し、熱性能、電力密度、レイアウトの柔軟性を向上させます。また、このパッケージは寄生インダクタンスを低減し、高速スイッチングをサポートし、自動化された組立を簡素化するとともに、業界標準のフットプリントにより、スケーラブルなマルチソース設計とシステムの複雑性の低減を可能にします。

特徴

  • 低容量と低ゲート電荷
  • 内部ゲート抵抗(ESR)が低いことによる内部高速スイッチング・スピード
  • 高い動作時接合部温度での安定した動作, TJ(max) = 175°C
  • 高速で信頼性の高いボディ・ダイオード
  • 優れたアバランシェ耐性(量産でのUISテストを100%実施済み)
  • 沿面距離(標準>8mm)

アプリケーション

  • ソーラー発電 (PV) インバータ、コンバータ、産業用モータドライブ
  • スマートグリッド伝達と分配
  • 誘導加熱と溶接
  • HEV(ハイブリッド電気自動車)パワートレイン、EV(電気自動車)充電器
  • 電源と配電

代表的なアプリケーション

アプリケーション回路図 - Microchip Technology 1200V SIC MOSFET
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部品番号 データシート Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Id - 連続ドレイン電流
MSC020SMB120B4N MSC020SMB120B4N データシート 24 mOhms 97 A
MSC025SMB120B4N MSC025SMB120B4N データシート 33 mOhms 81 A
MSC030SMB120B4N MSC030SMB120B4N データシート 40 mOhms 69 A
MSC040SMB120B4N MSC040SMB120B4N データシート 53 mOhms 54 A
MSC045SMB120B4N MSC045SMB120B4N データシート 60 mOhms 49 A
MSC060SMB120B4N MSC060SMB120B4N データシート 80 mOhms 38 A
MSC080SMB120B4N MSC080SMB120B4N データシート 107 mOhms 30 A
MSC025SMB120Q MSC025SMB120Q データシート 25 mOhms
MSC030SMB120Q MSC030SMB120Q データシート 30 mOhms
MSC045SMB120Q MSC045SMB120Q データシート 45 mOhms
公開: 2025-09-19 | 更新済み: 2026-10-12