onsemi NXH010P120MNF1 SiCモジュール
onsemi NXH010P120MNF1 SiCモジュールは、F1モジュールに10MΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジおよびNTCサーミスタを内蔵しています。 このモジュールの推奨ゲート電圧は18V〜20Vです。NXH010P120MNF1には、より高い電圧と低熱抵抗でRDS(ON)が改善されています。
特徴
- 推奨ゲート電圧18V - 20V
- さらなる高電圧でのRDS(ON)が向上
- 低い熱抵抗
- 効率性の向上またはさらに高い電力密度を実現
- TIM有またはTIM無のオプション
- 信頼性の高い熱インターフェイスを実現する柔軟性に富んだソリューション
アプリケーション
- AC/DC変換
- DC/AC変換
- DC/DC変換
スキーム図
関連モジュール
onsemi NXH0xxP120M3F1シリコンカーバイド(SiC) モジュール
ハーフブリッジトポロジに基づいた8mΩ 、10mΩ 、15mΩ 、30mΩ/12,00V M3S MOSFETが搭載されています。
EliteSiCの詳細
公開: 2022-05-11
| 更新済み: 2024-07-31