ROHM Semiconductor RQ7 PchパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RQ7 Pch、パワーMOSFETは、低オン抵抗を特性とし、小型面実装パッケージ（TSMT）に複合しています。ROHMは、小信号製品から800Vの高電圧製品まで幅広い電圧のラインアップを提供しています。電源やモーター駆動回路のようなさまざまなアプリケーションに使用できます。
特徴
- 低オン抵抗
- 小型表面実装パッケージ（TSMT8）
- 鉛フリーめっき加工、RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチング
ラインナップ
市場アプリケーション
ON抵抗の改善
関連製品
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超高速スイッチング速度と低オン抵抗が特徴で、幅広い品揃えのパッケージで提供されます。
ROHM Semiconductor RQ6 PchパワーMOSFET
低オン抵抗が特徴で、ハイパワー小型モールドパッケージ（TSMT6）に格納されています。
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低オン抵抗を特性とし、ハイパワーの小型モールドタイプパッケージ（TSMT8）に複合しています。
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低オン抵抗、最大142Wの電力消費が備わっており、小型高駆動パッケージに収められています。
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低ON抵抗と高速スイッチング速度が特徴です。
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低オン抵抗が特徴で、小型表面実装パッケージ（SOP8）に格納されています。
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低ON抵抗が特徴で、ハイパワー小型モールドパッケージ（HUML2020L8）に格納されています。
ROHM Semiconductor UT6J PchパワーMOSFET
低オン抵抗が特徴で、 ハイパワー小型モールドパッケージに格納されています。
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| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ7G080BGTCR |  |
40 V | 8 A | 16.5 mOhms | 10.6 nC |
| RQ7P035ATTCR | |
100 V | 3.5 A | 111 mOhms | 40 nC |
| RQ7G080ATTCR | |
40 V | 8 A | 18.2 mOhms | 37 nC |
| RQ7L050ATTCR | |
60 V | 5 A | 39 mOhms | 38 nC |
| RQ7A060ZPTR | |
12 V | 6 A | 23 mOhms | 34 nC |
| RQ7A070APTR | |
12 V | 7 A | 14 mOhms | 80 nC |
| RQ7A070ZPTR | |
12 V | 7 A | 12 mOhms | 58 nC |
| RQ7C065UNTR | |
20 V | 6.5 A | 22 mOhms | 11 nC |
| RQ7C075UNTR | |
20 V | 7.5 A | 16 mOhms | 18 nC |
| RQ7E050RPTR | |
30 V | 5 A | 31 mOhms | 13 nC |
公開: 2021-01-26
| 更新済み: 2026-09-22