ROHM Semiconductor SCT4018KR NチャンネルSiCパワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) SCT4018KR Nチャンネル炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFETは、要求の厳しいアプリケーションで高効率電力変換実現するために最適化された堅牢なデバイスです。1200Vのドレイン・ソース間定格電圧と81A（+25°C時）の連続ドレイン電流を備えているため、SCT4018KRは高電圧環境下で優れたパフォーマンスを発揮します。本デバイスは、オン抵抗が18mΩと低く、高速スイッチング速度をサポートしているため、スイッチング損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させます。TO-247-4L パッケージに格納されているSCT4018KRは、工業電源、ソーラーインバータ、モータドライブでの使用に最適です。SiC技術の利点が活用されたSCT4018KR MOSFETは、優れた熱伝導率、高温動作、信頼性の向上を備え、コンパクトな高性能パワーシステムに最適です。