STMicroelectronics MDmesh K5パワーMOSFET

STMicroelectronicsのMDmesh K5シリーズは、スーパージャンクション構造を採用した超高電圧MOSFETであり、業界最高レベルのRDS(on)と性能指標を備えており、電力密度と効率の向上を実現します。代表的な用途としては、LED照明、計測機器、太陽光発電用インバータ、三相補助電源、溶接、および自動車用バッテリ管理などが挙げられます。

自動車用グレードの製品

バッテリ管理用の1200V自動車用グレードのデバイスが、現在ご利用いただけます。これらのデバイスは、非常に高いBVDSSにおいて比類のない堅牢性を備えており、AEC-Q101の認定を取得しています。これらのデバイスの1200Vという耐圧は、自動車用バッテリシステムを保護します。

K5シリーズは、800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500V、および1700Vの電圧定格で提供されています。STは、自動車用グレードおよび1700Vデバイスの導入により、スーパージャンクションMDmesh K5 MOSFETの製品ラインナップを拡充しました。これらのデバイスは、単位面積あたりのRDS(on)が業界最小であり、ゲート電荷も最小（47nCまで）を実現しています。これにより、業界最高の性能指標（FoM）を達成しています。また、高い耐破裂電圧により、より堅牢で信頼性の高いアプリケーションにおいて、より大きな安全マージンを確保します。これらのデバイスは、ソーラーインバータ、ファクトリーオートメーション、産業用ドライブ、溶接などの高出力アプリケーションにおいて、広い入力電圧範囲に対応する補助電源に最適です。