IXFH340N075T2

IXYS
747-IXFH340N075T2
IXFH340N075T2

メーカ:

詳細:
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
IXYS
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
75 V
340 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
300 nC
- 55 C
+ 175 C
935 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
下降時間: 35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 65 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 50 ns
シリーズ: IXFH340N075
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 60 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 26 ns
単位重量: 6 g
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541900000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

商用・軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 商用および戦術用無人航空機(UAV)システムは、リチウムイオンバッテリ保護、バッテリ充電器、および電力分配用のソリューションを提供します。 これらのシステムは、入力保護/過電流保護用のヒューズ、半導体スイッチング用のMOSFET、およびDC出力の過渡/サージ保護用のTVSダイオードを備えています。この商用および戦術用UAVシステムは、>60Vのバッテリ保護を提供し、メインパックの故障隔離、バッテリの切り離し/電源経路制御(プリチャージ対応)、および分岐回路の過電流保護機能を備えています。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、軍事・防衛、国境監視、農業、輸送・物流、点検、治安維持などが含まれます。

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 燃料駆動/ハイブリッド 軍用無人航空機(UAV)システムは、電力変換・DCバス、配電、充電器/地上電源用のソリューションを提供します。 これらのシステムは、電力変換およびDCバス機能をサポートしており、ACライン電圧をDCに変換する整流ダイオードを搭載しています。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV(無人航空機)システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。  これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格(軍関連)製品を提供します。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、軍事・防衛、国境監視などが含まれます。

ドローン用サブシステム

Littelfuse ドローン用サブシステムは、USB-C PDおよびリチウムイオンバッテリチャージャ、バッテリパックシステム、BLDCモータ向けのソリューションです。これらのサブシステムは、AC入力過電流保護および地絡障害検出、バッテリおよび下流のコントローラ、パック、配線、コントローラの保護など、各種機能に必要なヒューズを備えています。本ドローンサブシステムは、一次側スイッチングの過渡現象抑制およびセルモニタICセンスライン入力の過電圧保護用のTVSダイオードを搭載しています。これらのサブシステムは、トイドローン、カメラドローン、FPV(ファーストパーソンビュー)ドローン、エンタープライズ、産業用、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、点検/マッピング、農業、および大型リフトなどの、さまざまなドローンに適しています。代表的なアプリケーションには、輸送/物流、治安維持、国境監視、軍事・防衛などが含まれます。

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車(EV)充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

在庫: 1,303

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工場リードタイム:
32 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
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¥2,557.9 ¥2,558
¥1,757.3 ¥17,573
¥1,425.1 ¥171,012
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