IXFN210N30P3

IXYS
747-IXFN210N30P3
IXFN210N30P3

メーカ:

詳細:
MOSFETモジュール N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

ECADモデル:
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IXYS
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
300 V
192 A
14.5 mOhms
- 20 V, + 20 V
- 55 C
+ 150 C
1.5 kW
IXFN210N30
Tube
ブランド: IXYS
構成: Single
下降時間: 13 ns
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 25 ns
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: HiPerFET
タイプ: HiperFET
標準電源切断遅延時間: 94 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 46 ns
単位重量: 30 g
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

商用・軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 商用および戦術用無人航空機(UAV)システムは、リチウムイオンバッテリ保護、バッテリ充電器、および電力分配用のソリューションを提供します。 これらのシステムは、入力保護/過電流保護用のヒューズ、半導体スイッチング用のMOSFET、およびDC出力の過渡/サージ保護用のTVSダイオードを備えています。この商用および戦術用UAVシステムは、>60Vのバッテリ保護を提供し、メインパックの故障隔離、バッテリの切り離し/電源経路制御(プリチャージ対応)、および分岐回路の過電流保護機能を備えています。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、軍事・防衛、国境監視、農業、輸送・物流、点検、治安維持などが含まれます。

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 燃料駆動/ハイブリッド 軍用無人航空機(UAV)システムは、電力変換・DCバス、配電、充電器/地上電源用のソリューションを提供します。 これらのシステムは、電力変換およびDCバス機能をサポートしており、ACライン電圧をDCに変換する整流ダイオードを搭載しています。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV(無人航空機)システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。  これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格(軍関連)製品を提供します。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、軍事・防衛、国境監視などが含まれます。

ドローン用サブシステム

Littelfuse ドローン用サブシステムは、USB-C PDおよびリチウムイオンバッテリチャージャ、バッテリパックシステム、BLDCモータ向けのソリューションです。これらのサブシステムは、AC入力過電流保護および地絡障害検出、バッテリおよび下流のコントローラ、パック、配線、コントローラの保護など、各種機能に必要なヒューズを備えています。本ドローンサブシステムは、一次側スイッチングの過渡現象抑制およびセルモニタICセンスライン入力の過電圧保護用のTVSダイオードを搭載しています。これらのサブシステムは、トイドローン、カメラドローン、FPV(ファーストパーソンビュー)ドローン、エンタープライズ、産業用、情報収集・警戒監視・偵察(ISR)、点検/マッピング、農業、および大型リフトなどの、さまざまなドローンに適しています。代表的なアプリケーションには、輸送/物流、治安維持、国境監視、軍事・防衛などが含まれます。

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

在庫: 325

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