IXFT320N10T2

Name: IXYS IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT320N10T2
Price: 4275 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

747-IXFT320N10T2

メーカ番号：

IXFT320N10T2

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

データシート:

IXFT320N10T2 データシート

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

IXYS IXFT320N10T2の詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	D3PAK-3 (TO-268-3)
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	320 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	430 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	1 kW
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	73 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	80 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	46 ns
シリーズ:	IXFT320N10
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	73 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	36 ns
単位重量:	6.500 g

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

IXFT320N10T2 データシート

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

商用・軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 商用および戦術用無人航空機（UAV）システムは、リチウムイオンバッテリ保護、バッテリ充電器、および電力分配用のソリューションを提供します。これらのシステムは、入力保護/過電流保護用のヒューズ、半導体スイッチング用のMOSFET、およびDC出力の過渡/サージ保護用のTVSダイオードを備えています。この商用および戦術用UAVシステムは、>60Vのバッテリ保護を提供し、メインパックの故障隔離、バッテリの切り離し/電源経路制御（プリチャージ対応）、および分岐回路の過電流保護機能を備えています。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視、農業、輸送・物流、点検、治安維持などが含まれます。

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 燃料駆動/ハイブリッド軍用無人航空機（UAV）システムは、電力変換・DCバス、配電、充電器/地上電源用のソリューションを提供します。これらのシステムは、電力変換およびDCバス機能をサポートしており、ACライン電圧をDCに変換する整流ダイオードを搭載しています。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV（無人航空機）システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格（軍関連）製品を提供します。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視などが含まれます。

ドローン用サブシステム

Littelfuse ドローン用サブシステムは、USB-C PDおよびリチウムイオンバッテリチャージャ、バッテリパックシステム、BLDCモータ向けのソリューションです。これらのサブシステムは、AC入力過電流保護および地絡障害検出、バッテリおよび下流のコントローラ、パック、配線、コントローラの保護など、各種機能に必要なヒューズを備えています。本ドローンサブシステムは、一次側スイッチングの過渡現象抑制およびセルモニタICセンスライン入力の過電圧保護用のTVSダイオードを搭載しています。これらのサブシステムは、トイドローン、カメラドローン、FPV（ファーストパーソンビュー）ドローン、エンタープライズ、産業用、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、点検/マッピング、農業、および大型リフトなどの、さまざまなドローンに適しています。代表的なアプリケーションには、輸送/物流、治安維持、国境監視、軍事・防衛などが含まれます。

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.