IXTP140N055T2

Name: IXYS IXTP140N055T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP140N055T2
Price: 626 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

747-IXTP140N055T2

メーカ番号：

IXTP140N055T2

メーカ：

IXYS

詳細：

MOSFET 140 Amps 0V

データシート:

IXTP140N055T2 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	IXYS
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	55 V
Id - 連続ドレイン電流:	140 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	82 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	180 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	HiPerFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	IXYS
構成:	Single
下降時間:	17 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	40 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	35 ns
シリーズ:	IXTP140N055
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	21 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	13 ns
単位重量:	2 g

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A (T_C=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 燃料駆動/ハイブリッド軍用無人航空機（UAV）システムは、電力変換・DCバス、配電、充電器/地上電源用のソリューションを提供します。これらのシステムは、電力変換およびDCバス機能をサポートしており、ACライン電圧をDCに変換する整流ダイオードを搭載しています。燃料エンジン駆動式/ハイブリッド軍関連UAV（無人航空機）システムは、半導体スイッチ、サージ保護、整流用のTVSダイオード、ヒューズ、MOSFETを備えています。これらのシステムは、各種機能を網羅するAEC-Q/MIL規格（軍関連）製品を提供します。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視などが含まれます。

ドローン用サブシステム

Littelfuse ドローン用サブシステムは、USB-C PDおよびリチウムイオンバッテリチャージャ、バッテリパックシステム、BLDCモータ向けのソリューションです。これらのサブシステムは、AC入力過電流保護および地絡障害検出、バッテリおよび下流のコントローラ、パック、配線、コントローラの保護など、各種機能に必要なヒューズを備えています。本ドローンサブシステムは、一次側スイッチングの過渡現象抑制およびセルモニタICセンスライン入力の過電圧保護用のTVSダイオードを搭載しています。これらのサブシステムは、トイドローン、カメラドローン、FPV（ファーストパーソンビュー）ドローン、エンタープライズ、産業用、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、点検/マッピング、農業、および大型リフトなどの、さまざまなドローンに適しています。代表的なアプリケーションには、輸送/物流、治安維持、国境監視、軍事・防衛などが含まれます。

商用・軍関連UAVシステム

リテルヒューズ (Littelfuse) 商用および戦術用無人航空機（UAV）システムは、リチウムイオンバッテリ保護、バッテリ充電器、および電力分配用のソリューションを提供します。これらのシステムは、入力保護/過電流保護用のヒューズ、半導体スイッチング用のMOSFET、およびDC出力の過渡/サージ保護用のTVSダイオードを備えています。この商用および戦術用UAVシステムは、>60Vのバッテリ保護を提供し、メインパックの故障隔離、バッテリの切り離し/電源経路制御（プリチャージ対応）、および分岐回路の過電流保護機能を備えています。代表的なアプリケーションには、情報収集・警戒監視・偵察（ISR）、軍事・防衛、国境監視、農業、輸送・物流、点検、治安維持などが含まれます。

電気自動車DC高速充電器

Littelfuse電気自動車（EV）充電ソリューションには、オフボードDC高速充電器があります。Littelfuse EV充電ソリューションによって、設計者は、EV充電装置が機能的かつ安全であることを保証する最適なソリューションを選択できます。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.