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FP10R12W1T7BOMA1

Name: Infineon FP10R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP10R12W1T7BOMA1
Price: 6162 JPY
Availability: OutOfStock

Mouser 番号：

726-FP10R12W1T7BOMA1

メーカ番号：

FP10R12W1T7BOMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

IGBT モジュール EASY

データシート:

FP10R12W1T7BOMA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	IGBT モジュール
製品:	IGBT Silicon Modules
構成:	3-Phase Inverter
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	1.2 kV
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.6 V
25 Cでのコレクターの直流:	10 A
ゲート - エミッタリーク電流:	100 nA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 175 C
技術:	Si
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
製品タイプ:	IGBT Modules
シリーズ:	Trenchstop IGBT7
工場パックの数量:	24
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	EasyPIM
別の部品番号:	FP10R12W1T7 SP005351582

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データシート

FP10R12W1T7BOMA1 データシート (PDF)

Product Catalogs

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: 中国
拡散国:: オーストリア

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1,200V PIM IGBTモジュール

Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールには、最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいたTRENCHSTOP™ IGBT7およびEC7ダイオード技術が搭載されています。この技術によって損失が大幅に低減し、高レベルの制御性が実現しています。セルの概念は、以前に使用されていた正方形のトレンチセルと比較して、サブミクロンのメサによって分離された平行なトレンチセルを実装で特徴付けられています。チップは、工業ドライブアプリケーションと太陽光エネルギーシステム向けに特別に最適化されています。これは、はるかに低い静的損失、より高い電力密度、さらにソフトなスイッチングを意味します。Infineon 1,200V PIM IGBTモジュールで最大175°Cまで許容最高動作温度を上昇させることによって、電力密度を大幅に増大させることができます。

TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュール

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7ディスクリートとモジュールは、可変速度ドライブ用に設計されています。すべての産業用ドライブの半数に電気速度制御を実装できれば、エネルギーを最大20％、もしくはCO₂ を1,700万トン削減できると考えられています。Infineonは、TRENCHSTOP IGBT7技術を活用してこの動きを促進しています。

EasyPIM™ IGBTモジュール

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBTモジュールは、3相入力整流器PIM IGBTモジュールで、TRENCHSTOP™ IGBT7、エミッタ制御7ダイオード、NTC/PressFit技術が採用されています。このモジュールは、dv/dtの制御性の強化、FWDの柔らかさの向上、スイッチング損失の最適化、8µsの短絡堅牢性が特徴です。EasyPIM（パワー統合モジュール）は、非常に小さなサイズで、さらなる高電力の実現に役立ちます。このモジュールは、エネルギー効率要件を満たすようにシステムコストと損失を削減します。一般的なアプリケーションには、補助インバータ、エアコン、サーボモータ、過熱、換気、空調（HVAC）があります。