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S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 1961 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

727-S5122GABHI020

メーカ番号：

S80KS5122GABHI020

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

DRAM SPCM

データシート:

S80KS5122GABHI020 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	HyperRAM
メモリサイズ:	512 Mbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	200 MHz
パッケージ/ケース:	FBGA-24
編成:	64 M x 8
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	1.7 V
供給電圧 - 最大:	2 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	338
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	44 mA

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データシート

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: タイ
拡散国:: 台湾

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリ

Infineon Technologies S80KS5122およびS80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリは、高速、低ピン本数、低電力セルフ更新ダイナミックRAM（DRAM）であり、スクラッチパッドまたはバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステムを対象としています。 HYPERRAM製品は、JEDEC JESD251プロファイルに準拠したHYPERBUS™およびオクタルxSPIインターフェイスをサポートしており、パラレルおよびシリアルインターフェイスメモリのレガシー機能を活用すると同時に、システムの性能を強化して設計を容易にし、システムコストを削減します。ピンの本数が少ないアーキテクチャ（低ピン数アーキテクチャ）によって、HYPERRAMはオフチップ外付けRAMを必要とし電力に制限があり実装スペースが限られているアプリケーションに特に適しています。