STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
最長電源切断遅延時間: 65 ns
最長電源投入遅延時間: 65 ns
水分感度: Yes
出力電圧: 520 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 6.8 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
トレードネーム: STDRIVE
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
タイ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STDRIVEG612 600V ハーフブリッジ ゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG612 600V 高速ハーフブリッジ ゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大600Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG612は高速GaNの駆動に最適です。

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在庫: 781

在庫：
781 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
52 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥636.2 ¥636
¥480 ¥4,800
¥441.8 ¥11,045
¥398.6 ¥39,860
¥377 ¥94,250
¥375.4 ¥187,700
¥353.8 ¥353,800
完全リール（3000の倍数で注文）
¥335.5 ¥1,006,500
6,000 見積り

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