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STF80N600K6

Name: STMicroelectronics STF80N600K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF80N600K6
Price: 604 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STF80N600K6

メーカ番号：

STF80N600K6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220FP-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	7 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	600 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	10.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	23 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	12.6 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	4.1 ns
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	28.2 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	1.690 g

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET

STMicroelectronics Nチャネル MDmesh K6パワーMOSFETは、ツェナー・ダイオードによる保護、および100%アバランシェ試験済みが特徴です。これらのパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧800V（最小値）、ゲート・ソース間電圧±30V、動作時接合部温度-55°C～150°Cです。MDmesh K6 Power MOSFETは、ダイオード回復時の最大電圧上昇率5V/ns、ダイオードの逆回復電流の最大傾き100A/µs、MOSFET dv/dt耐量120V/nsも特徴です。代表的なアプリケーションは、タブレット / ノートPC / オールインワンPC / フライバック・コンバータ用アダプタ、LED照明などです。