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STGAP2SCM

Name: STMicroelectronics STGAP2SCM
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGAP2SCM
Price: 691 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGAP2SCM

メーカ番号：

STGAP2SCM

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ガルバニック絶縁型ゲートドライバ Galvanically isolated 4 A single gate driver

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データシート:

STGAP2SCM データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ガルバニック絶縁型ゲートドライバ
RoHS:
シリーズ:	STGAP2S
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
水分感度:	Yes
製品:	Isolated Gate Drivers
製品タイプ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	Si
単位重量:	80 mg

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選択した属性: 0

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542390000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 入手不可
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MOSFET & IGBTゲート・ドライバ

STMicroelectronics MOSFET & IGBTゲート・ドライバは、工業、民生、コンピュータ、自動車アプリケーションを対象としたディスクリート・デバイスのポートフォリオです。このポートフォリオは、シングルからハーフブリッジ、および複数のチャンネル・ドライバを網羅しています。このドライバは、低または高電圧（最高1500V）アプリケーションのどちらかに定格されています。また、STは、安全と機能要件のためのガルバニック絶縁ゲート・ドライバICも取り揃えています。システムインパッケージ（SiP）ソリューションには、ハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバとMOSFETベースの電力段が統合されています。これによってこれらは、さらなる高レベルの統合およびと低開発コストによる産業市場に最適です。

モータドライバ

STMicroelectronicsモータ・ドライバは、ブラシ付DCモータ・ステッパ・モータおよびブラシレスDCモータの要件をカバーしている広範なモータ・ドライバです。ドライバは、広範な電圧および電流定格で販売されています。STSPINモータドライバには、モータを効率的に駆動するために必要なすべての機能が組み込まれています。これは、高精度で達成され、高度なモーション特性ジェネレータが含まれています。

STGAP2Sシングル・ゲートドライバ

STMicroelectronics STGAP2Sシングル・ゲートドライバは、低電圧制御とインターフェイス回路からゲート駆動チャンネルを絶縁するために使用されます。このゲートドライバは、4A能力とレールツーレール出力が特徴で、産業用アプリケーションのモータ・ドライバのようなハイパワー・インバータ・アプリケーションに適しています。このデバイスは、2つの構成で利用可能です。別途の出力ピン構成によって、専用のゲート・レジスタを使用して、ターンオンとターンオフを独立して最適化できます。単一出力ピン構成およびミラークランプ機能によって、ハーフブリッジ・トポロジでの高速整流中のゲートスパイクを防止します。両方の構成によって、外部コンポーネントを対象とした高い柔軟性と部品表の削減が実現しています。